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一、碳化硅（sic）外延的基本介绍 1、基本概念在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。碳化硅外延就是以碳化硅（sic）单晶.

7.1 sic 半导体 sic 是最早被发现的半导体之一，由于它的带隙宽、电子迁移率高及电子饱和速度高、热导率高及机械强度大、抗辐射等方面的优良性能，使得它在高电压、高温和高功率应用方面有很大的. To complete the drag, press the enter key. To activate drag with keyboard, press alt + enter. La sic s’invite dans votre quartier en partenariat avec la ville de nouméa !

3.1 sic 半导体材料的基本性质 3.1.1 sic 的晶体结构 sic 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。sic 独特的性质与其结构密切相.